武汉精立电子技术有限公司,武汉精测电子集团股份有限公司申请一项名为“缺陷样本生成方法、装置、设备及可读存储介质“，公开号 CN202410681729.3 ，申请日期为 2024 年 5 月。
专利摘要显示，本发明提供一种缺陷样本生成方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：基于多个图像对分别进行图像融合，得到多张理想缺陷图像，其中，一图像对包括一张背景图像以及一张缺陷二值图，背景图像与缺陷二值图的分辨率相同，不同图像对包含的背景图像和/或缺陷二值图不同;分别将多张理想缺陷图像在显示屏上显示，并通过成像设备进行取像，得到每张理想缺陷图像对应的取像图像;对每张取像图像进行有效性判定;将有效性判定通过的取像图像作为缺陷样本。通过本发明，无需借助已有的缺陷样本，实现了基于零缺陷样本生成缺陷样本。
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